產品介紹:
POWERMASTER公司的PCW120N21M1是一款高端硅碳化物(SiC)金屬-氧化物-半導體場效應晶體管(MOSFET),其設計突破了常規硅基MOSFET的性能限制。采用了最新的SiC技術,這款MOSFET專為高效能和高頻率的電力應用而設計,優化了能源轉換過程中的功耗和散熱效率。
產品特性:
1. 高電壓耐受:PCW120N21M1能夠處理高達1200V的工作電壓,為高壓應用提供了穩定可靠的解決方案。
2. 低導通電阻:擁有極低的導通電阻(RDS(on)),從而減少功率損失并提高操作效率。
3. 快速開關能力:SiC MOSFET具有比傳統硅MOSFET更快的開關速率,大大減少了開關損耗。
4. 高溫性能:具備出色的熱穩定性,能夠在更高的溫度下運行,適合苛刻的工作環境。
5. 兼容性:PCW120N21M1的封裝設計允許它與現有的硅MOSFET設備兼容,簡化了升級換代過程。
應用場景:
PCW120N21M1 SiC MOSFET適用于多種高性能和高功率密度的電子應用,如:
- 可再生能源系統,包括太陽能逆變器和風能轉換器
- 電動汽車(EV)和混合動力汽車(HEV)的動力系統
- 服務器電源和電信基站電源
- 高速列車和地鐵系統的牽引逆變器
- 高頻開關電源和無源PFC(功率因數校正)
技術參數:
- 最大漏源電壓(VDS):1200V
- 持續漏電流(ID):21A
- 導通電阻(RDS(on)):極低
- 總柵極電荷(Qg):優化值
- 封裝類型:TO-247-3
POWERMASTER的PCW120N21M1 SiC MOSFET以其高效的能源轉換能力、快速開關特性和卓越的熱性能,為高壓電力電子設備提供了理想的半導體解決方案。這款產品的出現,代表了SiC MOSFET技術在性能和可靠性方面的新標桿。