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在現(xiàn)代電力電子設(shè)備中，IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)因其高效、可靠的特性，成為不可或缺的核心元件。然而，面對(duì)IGBT模塊和IGBT單管，許多用戶在選擇時(shí)感到困惑。
在嵌入式開(kāi)發(fā)領(lǐng)域，8位單片機(jī)以其低成本、高穩(wěn)定性和易用性，長(zhǎng)期以來(lái)占據(jù)重要地位。盡管如今32位單片機(jī)和更高性能的處理器層出不窮，但8位單片機(jī)并未被淘汰。
半導(dǎo)體行業(yè)近年來(lái)迎來(lái)了快速發(fā)展，而碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)作為第三代半導(dǎo)體材料的代表，因其優(yōu)越的性能和廣闊的應(yīng)用前景，成為了行業(yè)關(guān)注的焦點(diǎn)。
近日，一項(xiàng)關(guān)于3D NAND閃存制造工藝的突破性研究引起了業(yè)界廣泛關(guān)注。研究人員發(fā)現(xiàn)了一種利用先進(jìn)的等離子技術(shù)，在3D NAND閃存中快速蝕刻深孔的創(chuàng)新方法
觸摸屏工控芯片是觸控屏設(shè)備中用于處理觸摸操作信號(hào)的核心組件。它負(fù)責(zé)捕捉用戶手指或觸控筆在屏幕上的動(dòng)作(如點(diǎn)擊、滑動(dòng)、縮放等)，并將這些動(dòng)作轉(zhuǎn)化為可被工控設(shè)備識(shí)別的信號(hào)
在現(xiàn)代電力電子行業(yè)中，IGBT和IGBT模塊是不可或缺的核心組件。它們廣泛應(yīng)用于電動(dòng)車、工業(yè)控制、新能源發(fā)電、軌道交通等諸多領(lǐng)域。然而，對(duì)于初學(xué)者或者非專業(yè)人士來(lái)說(shuō)，IGBT與IGBT模塊的區(qū)別可能并...
在現(xiàn)代嵌入式系統(tǒng)開(kāi)發(fā)中，32位單片機(jī)因其高性能和強(qiáng)大功能，被廣泛應(yīng)用于工業(yè)控制、智能家居和物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備等領(lǐng)域。然而，隨著應(yīng)用需求的不斷增加，單片機(jī)的原生I/O口數(shù)量可能無(wú)法滿足實(shí)際需求。
近年來(lái)，全球科技產(chǎn)業(yè)一直在經(jīng)歷復(fù)雜的波動(dòng)，而這一局面可能在未來(lái)幾年繼續(xù)加劇。特朗普政府時(shí)期實(shí)施的關(guān)稅政策，特別是針對(duì)芯片及相關(guān)產(chǎn)品的進(jìn)口關(guān)稅，加劇了供應(yīng)鏈的緊張局勢(shì)。
在現(xiàn)代電子技術(shù)的飛速發(fā)展下，LED顯示技術(shù)已廣泛應(yīng)用于各個(gè)領(lǐng)域，如廣告屏幕、舞臺(tái)背景、交通指示牌和家電設(shè)備等。作為L(zhǎng)ED顯示屏的核心組件，LED顯示驅(qū)動(dòng)芯片
功率模塊是現(xiàn)代工業(yè)中不可或缺的核心組件，在電力電子設(shè)備、工業(yè)自動(dòng)化及新能源等領(lǐng)域發(fā)揮著重要作用。為了確保功率模塊的性能、可靠性及應(yīng)用穩(wěn)定性，其加工生產(chǎn)需要經(jīng)過(guò)一系列精密且科學(xué)的工序。
在智能化與電氣化交織的時(shí)代，芯片與功率半導(dǎo)體作為電子產(chǎn)業(yè)的兩大支柱，常被混為一談。本文從技術(shù)特性、應(yīng)用場(chǎng)景、市場(chǎng)趨勢(shì)等維度深度解析二者的本質(zhì)差異
據(jù)Eenews Europe報(bào)道，該平臺(tái)將基于云技術(shù)構(gòu)建，提供一個(gè)覆蓋整個(gè)歐盟范圍的虛擬設(shè)計(jì)環(huán)境。這一平臺(tái)的亮點(diǎn)在于整合了豐富的設(shè)計(jì)資源和工具，包括現(xiàn)有的IP庫(kù)、新開(kāi)發(fā)的EDA(電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化)工具等...
在現(xiàn)代電子設(shè)備中，電源芯片是不可或缺的重要組成部分，其主要功能是為電子電路提供穩(wěn)定的電源。無(wú)論是智能手機(jī)、家用電器，還是工業(yè)裝備，電源芯片都起著至關(guān)重要的作用。
單片機(jī)作為嵌入式系統(tǒng)的核心組件，越來(lái)越受到關(guān)注。作為一種集成度極高的微型計(jì)算機(jī)，單片機(jī)內(nèi)部結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì)決定了其性能及應(yīng)用領(lǐng)域。
觸控技術(shù)已經(jīng)深度融入我們的日常生活，從智能手機(jī)到智能家居設(shè)備，觸控技術(shù)無(wú)處不在。而其中的核心器件——感應(yīng)觸控芯片，作為觸控功能實(shí)現(xiàn)的關(guān)鍵組件，其工作原理值得我們深入探討。
近日，有關(guān)三星電子晶圓代工事業(yè)面臨困境的消息引發(fā)了業(yè)內(nèi)關(guān)注。據(jù)韓媒報(bào)道，三星電子計(jì)劃在2025年將晶圓代工業(yè)務(wù)的資本支出削減至約34.8億美元，相較2024年的69.6億美元幾乎減半
在新能源汽車、5G通信以及能源電子等領(lǐng)域，SiC材料正逐漸成為推動(dòng)技術(shù)升級(jí)的關(guān)鍵。而在SiC領(lǐng)域，SiC晶圓和SiC襯底是兩個(gè)常見(jiàn)但容易混淆的概念。
在現(xiàn)代電子設(shè)計(jì)中，MOSFET (金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管) 是一種至關(guān)重要的半導(dǎo)體器件。它被廣泛應(yīng)用于各種電子設(shè)備和電路中，而“電阻MOSFET”是這一領(lǐng)域中一個(gè)關(guān)鍵的概念
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