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Onsemi、高電力アプリケーションに適したElitSiC M 3 e MOSFETを発売

作者: First Tech2024-08-12 15:59:59

気候危機(jī)のエスカレートと世界的なエネルギー需要の上昇を背景に、各國政府や各業(yè)界は環(huán)境への影響を軽減し、持続可能な未來を確保するために野心的な気候目標(biāo)の実現(xiàn)に取り組んでいる。これらの努力の核心は、電化への移行、炭素排出の削減、再生可能エネルギーの抱擁である。この転換を加速させるために、アンソンミは最新の炭化ケイ素技術(shù)プラットフォーム:ElitSIC M 3 e mosfetを発表した。

今回の発表會(huì)は、アンソンミ社の電源ソリューションマーケティング上級(jí)ディレクターMrinal Das博士が主宰し、詳細(xì)な會(huì)議でこの技術(shù)の潛在力と影響を重點(diǎn)的に紹介した。Das博士はSiC MOSFET博士の學(xué)位を持ち、業(yè)界で30年の就職経験を持ち、過去30年のSiC技術(shù)の変革の歩みを重點(diǎn)的に紹介した。

Das博士は、「新しいテクノロジーが現(xiàn)在の成果を上げ、地球の持続可能な発展目標(biāo)の実現(xiàn)を推進(jìn)するのを見て、これは本當(dāng)に不思議な旅路だ」と述べた。次世代SiC MOSFETはエネルギー効率を高め、持続可能な代替品への転換を支援することを目的としている。

炭素とケイ素原子が交互に配列するため、SiCは「いくつかのケイ素を含むダイヤモンド」と記述されている。この構(gòu)造は、高誘電強(qiáng)度や熱伝導(dǎo)率などの優(yōu)れた半導(dǎo)體特性を有し、パワーデバイスの理想的な選択となる。SiCの特性は、より高いスイッチング周波數(shù)を?qū)g現(xiàn)し、受動(dòng)素子のサイズとコストを削減し、より効率的なシステムを?qū)g現(xiàn)し、同時(shí)に熱管理要件を緩和することができる。

「これこそ炭化ケイ素を際立たせ、ケイ素に代わる次世代半導(dǎo)體リーダーになる理由だ」とDas博士。

全世界の電力消費(fèi)量

世界の電力消費(fèi)は主に3つの分野で推進(jìn)されている:産業(yè)活動(dòng)、交通輸送、データセンター。各分野には獨(dú)自のニーズと課題があり、全體的なエネルギー使用と環(huán)境影響に重大な影響を與えます。

工業(yè)活動(dòng)は世界最大の電力消費(fèi)分野の一つである。これらの活動(dòng)は通常、限られた資源を使い果たすだけでなく、環(huán)境汚染や気候変動(dòng)を引き起こす化石燃料に大きく依存している。工業(yè)燃焼化石燃料は大気中に大量の二酸化炭素とその他の溫室効果ガスを放出し、地球溫暖化を促進(jìn)する。より持続可能なエネルギーへの転換は、工業(yè)運(yùn)営の環(huán)境足跡を減らすために重要である。

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交通運(yùn)輸業(yè)はもう一つの主要な電力消費(fèi)業(yè)界であり、特に電気自動(dòng)車の普及に伴っている。歴史的に見ると、交通運(yùn)輸業(yè)はガソリンとディーゼル油に依存した內(nèi)燃機(jī)関車を中心にしてきた。これらの化石燃料は限られているだけでなく、有害な排出も発生している。電気自動(dòng)車への転換は、電気自動(dòng)車が再生可能エネルギーから動(dòng)力を供給できるため、持続可能な発展への積極的な一歩である。しかし、電気自動(dòng)車の充電インフラストラクチャは、この転換を効果的に支援するために拡大と最適化が必要である。

近年、データセンターの電力需要は指數(shù)関數(shù)的に増加している。この増加は、主に人工知能や他のデータ集約型技術(shù)への依存性に起因している。データセンターでは、サーバ、冷卻システム、その他のインフラストラクチャを?qū)g行するために大量の電力が必要です。人工知能が日々の生活に溶け込み続けるにつれ、データセンターのエネルギー消費(fèi)はさらに上昇する見通しだ。この傾向は、増大する需要を管理するために、より効率的な電力ソリューションのニーズを浮き彫りにしています。

電化は、世界的な電力消費(fèi)に関する課題に対応するための重要な戦略です。化石燃料から電力に移行することで、溫室効果ガスの排出を減らし、より持続可能なエネルギーの未來に進(jìn)むことができます。OnsemiのSiC技術(shù)は効率的な半導(dǎo)體素子を提供することによって電気システムの性能と効率を高め、この転換において重要な役割を果たしている。

SiC技術(shù)の影響

SiC技術(shù)はシステム効率を高めることによって解決策を提供した。効率が1%向上しても、深遠(yuǎn)な影響が出てきます。例えば、電気自動(dòng)車の牽引インバータの効率を1%向上させ、電気自動(dòng)車は年間40億マイル多く走行することができる。同様に、データセンターの電源を1%向上させることで、年間6億5000萬ドルの電力コストを削減できます。工業(yè)の自動(dòng)化効率が1%向上し、年間250億ドル以上の節(jié)約が可能になります。

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「1パーセントは小さく見えるかもしれませんが、大きな數(shù)字に適用すると大きな影響を與えます」とダース博士は説明する。

さまざまな市場に適した全體的なソリューション

Onsemiのアプローチは包括的で、コンポーネントだけでなく、包括的なソリューションも提供します。この戦略は、自動(dòng)車、産業(yè)、データセンターなどさまざまな市場のニーズを満たすために重要です。

自動(dòng)車分野では、安森美のソリューションは電気自動(dòng)車の動(dòng)力システムと先進(jìn)的な安全システムを強(qiáng)化した。新型SiC MOSFETは電気自動(dòng)車をより効率的で信頼性の高いものにすることが期待され、それによって電気交通のより広範(fàn)な応用をサポートする。

工業(yè)面では、再生可能エネルギーインフラ、電気自動(dòng)車充電インフラ、工場自動(dòng)化に重點(diǎn)を置いている。エネルギーインフラストラクチャの効率性を高め、工場の自動(dòng)化をよりコスト効率的にすることで、アンソンミのソリューションは、より持続可能で効率的な産業(yè)構(gòu)造を構(gòu)築するのに役立ちます。

EliteSiCとM 3 E MOSFET

OnsemiのSiC技術(shù)(ブランドはEliteSiC)は業(yè)界をリードしているとされている。最新製品1200-V 11-mΩElitSiC M 3 E MOSFETは、前世代製品より大幅に改良されている。M 3 E技術(shù)は伝導(dǎo)損失を30%低減し、スイッチング損失を50%まで低減することができ、これはシステムレベルの効率を?qū)g現(xiàn)するために重要である。

Das博士は、「電力半導(dǎo)體のシステム損失への貢獻(xiàn)を、先進(jìn)的な技術(shù)を利用して最小化しようとしている」と述べた。

EliteSiCの特性は、特に高効率と信頼性が重要な分野で、さまざまな用途に優(yōu)れています。電気自動(dòng)車牽引インバータにおいて、EliteSiC技術(shù)はその低い伝導(dǎo)損失により20%以上の電力を提供することができる。充電器や電源裝置などの高速応用に対して、M 3 E MOSFETの性能は従來のソリューションより優(yōu)れており、異なる分野の共通選択となっている。

Das博士は、「より高いスイッチング周波數(shù)で動(dòng)作する能力は、受動(dòng)素子のサイズとコストを削減し、より効率的でコスト効率の高いシステムを?qū)g現(xiàn)することができる」と述べています。

トレンチ技術(shù)は進(jìn)歩したが、數(shù)十年にわたる研究と業(yè)界での使用を経て、その信頼性と品質(zhì)が実証されたため、平面技術(shù)を用いた革新が続けられている。同社は溝技術(shù)を完全に最適化した後、最終的にこの技術(shù)を採用する予定だ。

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Das博士は「平面技術(shù)の表現(xiàn)は現(xiàn)在市場にある既存の技術(shù)よりも優(yōu)れている」と述べ、平面ソリューションの持続的な相関性を強(qiáng)調(diào)した。

Onsemiは大量のテストを経て業(yè)界の同業(yè)者と比較し、高品質(zhì)で信頼性の高い製品の提供に力を入れていることを証明した。同社の平面技術(shù)は公認(rèn)された安定性と使用壽命を持ち、様々な応用の信頼できる選択である。

Das博士は、「我々の部品の性能は非常に安定しており、車両の20年の使用壽命のうち、故障率は10億分の1を下回っている」と述べた。

アンソンミ半導(dǎo)體の主な利點(diǎn)の1つは、原材料から完成品の電源モジュールまでを垂直に統(tǒng)合することです。このようなサプライチェーンの包括的な制御により、ソリューションはさまざまなレベルで最適化され、各コンポーネントがシステム全體の効率とパフォーマンスを向上させるのに役立つことが保証されます。

Das博士は、「垂直統(tǒng)合と內(nèi)部専門知識(shí)により、最適化されたソリューションを提供し、持続可能な発展への転換を加速させることができる」と述べています。

將來の展望と革新

安森美SiC MOSFETの発売は、持続可能な未來への重要な一歩を踏み出したことを示している。この技術(shù)は各分野に応用され、化石燃料への依存を減らし、エネルギー効率を高める上で重要な役割を果たす。

ダース博士は、「次世代技術(shù)の市場進(jìn)出を推進(jìn)している。技術(shù)と持続可能な発展のエキサイティングな時(shí)代であり、私たちはこの運(yùn)動(dòng)の最前線に立つことを誇りに思っている」と総括した。

浮思特科技はパワーデバイス分野に集中し、IGBTIPMモジュールなどのパワーデバイス及びMCUとタッチチップを顧客に提供し、コア技術(shù)を持つ電子部品サプライヤーとソリューション商である。