SemiQは1700 V SIC Schottkyディスクリートダイオードと2ダイオードモジュールをそのQSiCに導(dǎo)入する?製品シリーズ。新設(shè)備はスイッチング電源（SMPS）、無停電電源（UPS）、誘導(dǎo)加熱器、溶接設(shè)備、DC/DCコンバータ、太陽エネルギーインバータ、電気自動(dòng)車（EV）充電ステーションなど、多種の高需要応用のサイズと電力要求を満たしている。

SemiQの1700 V SiC Schottkyダイオード技術(shù)は逆回復(fù)電流がなく、スイッチング損失が極めて低い。この技術(shù)はまた熱管理を改善し、冷卻への需要を削減した。そのため、エンジニアは非常に効率的で高性能なシステムを設(shè)計(jì)することができ、システムが発生する熱を減らし、それによってより小さな放熱器を使用し、コストと空間占有を低減することができる。すべての新しいデバイスは、-55 Cから175 Cまでの異なる動(dòng)作接合溫度（Tj）間を迅速に切り替えることができます。

GP 3 D 050 B 170 X（ベアチップ）とGP 3 D 050 B 170 B（TO?247?2 Lパッケージ）ディスクリートダイオードの最大順方向電流はそれぞれ110 Aと151 Aである。このデバイスの設(shè)計(jì)により、並列構(gòu)成が簡略化され、さまざまな電力アプリケーションの柔軟性と拡張性が向上します。

GHXS 050 B 170 S-D 3とGHXS 100 B 170 S-D 3のデュアルダイオードモジュールは耐久性のあるモジュールで、SOT-227を用いてパッケージ化されている。各コンポーネントの最大順方向電流はそれぞれ110 Aと214 Aである。

これらのコンポーネントは、低損失および低電磁干渉（EMI）動(dòng)作を伴う高周波で卓越した性能を示しています。干渉を減らすことでエネルギー効率と信頼性を最大化する。この製品の主な特徴は極小の浮遊インダクタンス、高接合溫度での操作能力、耐久性と取り付けやすい內(nèi)部絶縁パッケージ（AIN）であり、優(yōu)れた絶縁と熱伝導(dǎo)率を提供している。接合とシェルの間の低熱抵抗は熱の有効な放出を確保し、高出力レベルで運(yùn)転しても安定性を保証することができる。モジュールの正の溫度係數(shù)（Tc）は、並列接続時(shí)に前方電圧（Vf）をより便利にする。

SemiQ氏によると、これらの新開発の1700 V SiCダイオードは電力効率と信頼性の面で顕著な進(jìn)歩を示している。SemiQのQSiC?ダイオードはコンパクトで柔軟な設(shè)計(jì)、低損失、優(yōu)れた熱管理を備えている。これらのダイオードにより、コストを削減し、システム全體の効率を向上させながら、先進(jìn)的で高性能なソリューションを開発できます。すべてのコンポーネントは1870 Vを超える電圧試験に合格し、1250 mJまでのエネルギーを持つ雪崩試験を完了した。

浮思特科技はパワーデバイス分野に集中し、IGBT、IPMモジュールなどのパワーデバイス及びMCUとタッチチップを顧客に提供し、コア技術(shù)を持つ電子部品サプライヤーとソリューション商である。