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成為擁有核心技術(shù)的半導(dǎo)體元器件供應(yīng)商和解決方案商
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產(chǎn)品中心

美蓓亞三美-IPM

IGBT Module

MBL800E33D

美蓓亞三美(NMB)MBL800E33D IGBT模塊是一款高性能的絕緣柵雙極晶體管(IGBT)模塊,專為高效率和高可靠性的電力轉(zhuǎn)換應(yīng)用設(shè)計。該模塊采用了美蓓亞三美(NMB)先進(jìn)的半導(dǎo)體技術(shù),確保了在各種工業(yè)和能源管理應(yīng)用中的卓越性能。
IGBT Module
產(chǎn)品詳情

  產(chǎn)品名稱:MBL800E33D IGBT模塊

  產(chǎn)品概述:MBL800E33D IGBT模塊是一款高性能的絕緣柵雙極晶體管(IGBT)模塊,專為高效率和高可靠性的電力轉(zhuǎn)換應(yīng)用設(shè)計。該模塊采用了美蓓亞三美(NMB)先進(jìn)的半導(dǎo)體技術(shù),確保了在各種工業(yè)和能源管理應(yīng)用中的卓越性能。

  主要特點:

  高電壓容量:MBL800E33D IGBT模塊設(shè)計用于處理高達(dá)800V的電壓,適用于多種高壓應(yīng)用場景。

  大電流承載能力:模塊能夠承載高達(dá)33A的電流,保證了在重載條件下的穩(wěn)定運(yùn)行。

  低導(dǎo)通損耗:采用優(yōu)化設(shè)計的IGBT芯片,實現(xiàn)了低導(dǎo)通損耗,有助于提高系統(tǒng)的整體效率。

  快速開關(guān)特性:模塊具備快速開關(guān)能力,減少了開關(guān)損耗,特別適合高頻操作。

  內(nèi)置反并聯(lián)二極管:集成反并聯(lián)二極管,提供了有效的續(xù)流路徑,簡化了電路設(shè)計。

  堅固的封裝:采用堅固的封裝設(shè)計,能夠承受惡劣的工作環(huán)境,確保長期可靠運(yùn)行。

  應(yīng)用領(lǐng)域:

  工業(yè)驅(qū)動系統(tǒng)

  不間斷電源(UPS)

  太陽能逆變器

  電動汽車充電站

  電機(jī)控制和驅(qū)動

  技術(shù)規(guī)格:

  額定電壓:3300V

  額定電流:800A

  最大耗散功率:指定條件下可達(dá)特定值

  工作溫度范圍:-40°C 至 +150°C

  美蓓亞三美(NMB)MBL800E33D IGBT模塊是追求高性能和可靠性的電力電子系統(tǒng)的理想選擇。其先進(jìn)的技術(shù)和廣泛的應(yīng)用潛力使其成為市場上備受推崇的產(chǎn)品。