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產(chǎn)品中心

美蓓亞三美-IPM

IGBT Module

MBN1200D33A

MBN1200D33A是日立生產(chǎn)的一款高效能IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) 模塊,專為需要高電壓和大電流控制的應(yīng)用設(shè)計(jì)。這款模塊采用了尖端的IGBT技術(shù),以提供優(yōu)異的功率密度、高效率和出色的可靠性。
IGBT Module
產(chǎn)品詳情

  產(chǎn)品名稱:MBN1200D33A IGBT模塊

  生產(chǎn)廠家:美蓓亞三美(NMB)

  產(chǎn)品概述: MBN1200D33A是美蓓亞三美(NMB)的一款高效能IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) 模塊,專為需要高電壓和大電流控制的應(yīng)用設(shè)計(jì)。這款模塊采用了尖端的IGBT技術(shù),以提供優(yōu)異的功率密度、高效率和出色的可靠性。IGBT模塊是現(xiàn)代電力電子應(yīng)用中不可或缺的組件,特別是在可再生能源、電動(dòng)車以及高速列車驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)中。

  主要特性:

  額定電壓: 高達(dá)1200V,使其適用于高電壓電力系統(tǒng)。

  額定電流: 33A,能夠處理較大的電流,滿足功率密集型應(yīng)用的需求。

  低開關(guān)損耗: 設(shè)計(jì)采用最新技術(shù)降低開關(guān)時(shí)的能量損耗,提高整體效率。

  高效率: 憑借優(yōu)化的開關(guān)特性,保障了系統(tǒng)運(yùn)行的高效性。

  可靠性: 經(jīng)過嚴(yán)格測(cè)試,確保在各種環(huán)境下的穩(wěn)定性和長(zhǎng)期可靠性。

  封裝: 堅(jiān)固的封裝設(shè)計(jì),適合于苛刻環(huán)境下使用。

  應(yīng)用領(lǐng)域:

  可再生能源系統(tǒng),如風(fēng)力和太陽能發(fā)電系統(tǒng)

  電動(dòng)汽車(EV)及充電站

  高速鐵路驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)

  工業(yè)電機(jī)控制

  電力傳輸與分配系統(tǒng)

  優(yōu)勢(shì)總結(jié): MBN1200D33A IGBT模塊結(jié)合了高電壓和大電流處理能力,加之低開關(guān)損耗和高效率的特性,使其成為電力電子設(shè)計(jì)工程師在高性能應(yīng)用中的理想選擇。無論是在可再生能源領(lǐng)域、電動(dòng)汽車技術(shù),還是更廣泛的工業(yè)電機(jī)控制和電力系統(tǒng)中,MBN1200D33A都能提供可靠的功率控制解決方案。