英飛凌科技公司近日宣布，正式擴展其CoolSIC? mosfet 650 V G2產品系列，并推出全新的75 mΩ型號。這一舉措旨在滿足當下電子系統對高功率密度和高效率的不斷增長需求，特別是在人工智能、可再生能源和電動交通等新興應用領域。

新推出的75 mΩ器件提供了豐富的封裝選擇，包括TOLL、ThinTOLL 8×8、TOLT、D2PAK、TO247-3以及TO247-4。這些多樣化的封裝方案為設計工程師提供了更大的靈活性，使其能夠根據不同的散熱、空間和成本需求進行優化設計。值得關注的是，此次擴展后的系列同時覆蓋了頂部冷卻(TSC)與底部冷卻(BSC)兩種方式，從而進一步增強了應用場景的適配性。

根據英飛凌介紹，全新的MOSFET特別適合應用于高功率和中功率的開關電源(SMPS)。這些電源在多個前沿領域中具有廣泛應用，例如AI服務器、可再生能源系統、電動汽車和充電樁、人形機器人充電站、電視以及工業驅動器。隨著這些應用市場的快速發展，業界對于高性能功率器件的需求也在不斷上升。

650 V G2系列基于第二代CoolSiC技術，相比于上一代產品在多個方面均有顯著提升。其優化后的性能參數不僅帶來更高的可靠性，同時也降低了使用門檻，使工程師能夠更便捷地將其集成到實際系統中。與此同時，新器件在能效表現上也有突破，有助于實現整體系統的功率損耗降低與散熱優化。

在封裝設計方面，不同的器件形式各具優勢。以TOLL和ThinTOLL 8×8為例，它們在PCB上的熱循環穩定性更高，能夠幫助系統設計在保持緊湊布局的同時提升可靠性。在SMPS設計中，這類封裝還能有效縮小PCB面積占用，從而在系統層面實現成本節約。此外，新型ThinTOLL 8×8的引入，也為設計師在成本優化方面提供了更多可能。

值得一提的是，此次新增的TOLT封裝進一步強化了英飛凌在Top Side Cooling(頂部冷卻)領域的產品組合。該系列目前已覆蓋CoolMOS?、CoolSiC、CoolGaN?以及Optimos?等技術。基于頂部冷卻的器件能夠直接散發高達95%的熱量，這使得設計人員可以充分利用PCB的雙面進行布局設計，既提升了空間利用率，又降低了寄生效應，為高性能系統提供了可靠的熱管理保障。