日前，全球領先的電力半導體解決方案提供商onsemi宣布與紐約州立大學東石溪校區(Stony Brook University)達成合作，計劃投資800萬美元建立一個寬帶隙研究中心。該中心的成立旨在加速電力半導體領域的技術突破，并培養下一代專業人才，以應對未來日益增長的市場需求。這項投資是onsemi與東石溪校區及帝國州發展公司(Empire State Development)之間更大規模的2000萬美元戰略合作的一部分，旨在將紐約打造成電力半導體技術的創新中心。

新建的寬帶隙研究中心將專注于碳化硅(SiC)及其他寬帶隙材料的基礎研究，探索與器件相關的技術。這些研究對提升人工智能應用和電氣化進程中的能源效率至關重要。研究中心計劃于2027年初全面投入運營，設施將配備最先進的實驗室和儀器，專注于材料開發、器件集成及性能表征等方面。

onsemi的此項投資不僅將助力技術研發，還將推動相關產業的發展，提升美國在全球半導體市場中的競爭力。隨著電動汽車、可再生能源和智能電網等領域的快速發展，對高性能電力半導體的需求也在急劇增加。建立寬帶隙研究中心，正是積極響應這一市場趨勢的體現。

為了支持這一研究中心的工作，紐約州立大學東石溪校區正在制定新的學術項目，包括碳化硅和寬帶隙半導體的本科輔修專業及研究生碩士學位和證書課程。這些新課程將為半導體行業培養出具備深厚理論基礎和實踐技能的高素質專業人才，確保行業對人力資源的需求得到滿足。

在當前半導體行業面臨技術快速迭代和人才短缺的情況下，東石溪校區與onsemi的合作將為學生提供更多的學習和實習機會，提升他們的就業競爭力。同時，這也為半導體行業的發展注入新的活力，推動技術創新。

帝國州發展公司積極支持這一項目，作為紐約州重振國內半導體制造能力和推動勞動力發展的戰略的一部分。通過與企業和學術機構的合作，該公司希望提升紐約州在全球半導體產業中的地位，確保該州在新興技術領域的競爭力。

新研究中心將由東石溪校區材料科學與化學工程系的邁克爾·達德利教授領導，他在碳化硅晶體生長方面享有盛譽。達德利教授將與巴拉吉·拉戈薩馬切爾教授和迪利普·格薩佩教授共同組成一個擁有豐富經驗和專業知識的領導團隊。該團隊將致力于推動寬帶隙材料的研究與應用，為未來的技術創新提供堅實的基礎。

onsemi與紐約州立大學東石溪校區的合作標志著電力半導體領域的重要一步。這項投資不僅將加速技術創新，也將為行業培養出更多的專業人才，助力全球能源轉型和可持續發展。隨著寬帶隙研究中心的建立，紐約州有望在全球半導體技術領域占據更加重要的地位，并為經濟發展和技術進步做出更大貢獻。

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