近日，日本汽車制造商馬自達(Mazda)與半導體行業巨頭ROHM株式會社宣布，雙方將合作開發基于氮化鎵(GaN)功率半導體的下一代汽車組件，進一步推動電動汽車技術的創新。這一合作標志著兩家企業在碳化硅(SIC)技術合作基礎上的再度升級，旨在通過前沿半導體技術優化電動汽車性能與能效。

　　馬自達與ROHM的合作始于2022年，當時雙方聚焦于碳化硅(SiC)功率半導體在電驅動單元逆變器中的應用。SiC半導體因其耐高溫、高電壓的特性，能夠顯著提升電動汽車的能源效率與續航能力，已成為行業的重要技術方向。基于這一合作經驗，雙方決定將研發范圍擴展至更具潛力的氮化鎵(GaN)技術。

　　氮化鎵作為一種寬禁帶半導體材料，近年來在功率電子領域備受關注。與傳統的硅(Si)基半導體相比，GaN能夠大幅降低能量轉換損耗，同時支持更高頻率的電力操作，從而幫助實現電子元件的小型化和輕量化。這些特性對于電動汽車的續航提升、空間優化及成本控制具有重要意義。

　　馬自達與ROHM計劃利用GaN技術開發更高效的電力驅動系統，重點優化逆變器、車載充電器等關鍵組件。通過減少能量損耗，電動汽車的電池利用率有望進一步提高，同時更緊湊的設計可減輕整車重量，從而增強車輛動態性能。

　　根據合作規劃，兩家公司將在2025財年推出搭載GaN技術的示范車型，并預計在2027財年實現該技術的全面商業化應用。這一時間表與全球汽車行業加速電動化的趨勢相契合，也體現了馬自達在電氣化轉型中的技術布局。

　　隨著全球碳中和目標的推進，汽車行業正加速向電動化轉型，而功率半導體技術成為決定電動汽車性能的關鍵因素之一。目前，特斯拉、豐田等車企已積極投入SiC和GaN技術的研發，而此次馬自達與ROHM的合作，進一步凸顯了日本企業在下一代半導體領域的競爭力。

　　ROHM作為功率半導體領域的領先企業，在GaN器件研發上已有多年積累，其技術實力將為馬自達的電動化戰略提供重要支持。而馬自達則可通過此次合作，在激烈的電動汽車市場競爭中占據技術制高點。

　　馬自達與ROHM的GaN技術合作，不僅是兩家企業技術協同的深化，更是汽車與半導體產業融合的典型案例。隨著示范車型的推出和后續量產計劃的推進，這一合作有望為電動汽車行業帶來更高效、更輕量化的解決方案，推動全球交通向可持續未來邁進。

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