SemiQ的第三代1200 V硅碳化物(SIC)MOSFET QSiC 1200 V在先前設計的基礎上進行了改進，具有20%更小的晶圓尺寸、更低的開關損耗和更高的效率。該MOSFET專為電動車充電、可再生能源、工業電源和電動機驅動設計，提供更好的熱性能，并更容易集成到現有系統中。

　　在總開關損耗(1646 μJ)更低、爬電距離(9 mm)更長以及更加優化的門驅動電壓(-4 V至+18 V)下，其在高功率應用中表現出色。

　　更小的晶圓，更好的效率

　　SemiQ在其第三代MOSFET中將晶圓尺寸縮小了20%，同時保持相同的導通電阻，增加了晶圓的良品率，而沒有犧牲性能。同時，較低的反向恢復電荷(470 nC)改善了電磁兼容性(EMI)性能和開關速度，從而提升了效率。與前一代相比，第三代MOSFET的門電荷略有增加，這導致開關損耗略微上升，但其他效率提升抵消了這一點。

　　QSiC 1200V MOSFET以16mΩ、20mΩ、40mΩ和80mΩ的電阻變體提供，既有裸晶圓也有TO-247 4L離散封裝。它支持的門源電壓范圍為-4 V至+18 V，兼容行業標準的門驅動器。門閾值電壓現為3.5 V-4 V，降低了因電噪聲導致意外開啟的風險。這些改進使得工程師在處理現有SiC基礎設計時更容易集成。

　　開關性能強勁，開啟延遲為21 ns，關閉延遲為65 ns，上升時間和下降時間分別為25 ns和20 ns。結對殼體的熱阻為0.26°C/W，功率耗散額定為484 W，有助于有效管理熱量。

　　長期耐用性

　　SemiQ采用嚴格的測試流程以確保長期耐用性。通過1400 V的良品晶圓(KGD)測試、800 mJ的雪崩測試以及100%晶圓級門氧化物老化篩選，都為其可靠性提供了保障。9 mm的延長爬電距離提高了電氣絕緣性，尤其是在高壓環境中。

　　通過第三代模型，SemiQ瞄準了電動車充電器、太陽能逆變器、工業電源和電動機驅動等應用。較低的開關損耗意味著減少熱量產生和提高效率，從而最小化對大型冷卻系統的需求?？焖俚拈_關速度、較低的EMI和改進的熱性能，使其成為在高功率應用中工作的工程師的強有力選擇。對于工業電源和電動機驅動，快速的開關速度與高熱性能的結合確保在重載下穩定運行。

　　SemiQ的第三代1200 V SiC MOSFET在效率、開關性能和可靠性方面有了顯著提升。更小的晶圓尺寸、優化的門驅動和減少的開關損耗，使其成為高壓電力系統的實用選擇。在電動車充電、可再生能源和工業應用中，提供了效率、耐用性和易集成性的良好平衡。

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