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行業資訊SemiQ 公司近日推出了一系列三款 1200V SIC 全橋模塊，每款模塊均包含兩個該公司自主研發的、具有可靠體二極管的高速開關 SiC MOSFET。這些模塊旨在簡化光伏逆變器、儲能系統、電池充電和其他高頻直流應用的開發，為工程師提供高效、緊湊的電源解決方案。
該系列模塊提供 18mΩ、38mΩ 和 77mΩ(RDSon)三種規格，并已在超過 1350V 的電壓下進行了嚴格測試。它們支持高達 102A 的連續漏極電流、250A 的脈沖漏極電流以及 333W 的最大功耗。
為滿足高性能應用需求，這款堅固耐用的 B2 模塊可在高達 175°C 的結溫下穩定運行，并具有極低的開關損耗(77mΩ 規格在 25°C 時 EON 為 0.13mJ，EOFF 為 0.04mJ)。此外，它們還表現出極低的零柵壓漏極和柵源漏電流(所有規格均為 0.1μA/1nA)以及低結殼熱阻(18mΩ 模塊為 0.4°C/W)。
目前，這些模塊已可立即投入使用，可直接安裝在散熱器上，并采用 62.8 x 33.8 x 15.0mm 的封裝(包括安裝板)。它們采用壓接端子連接和分離式直流負極端子，可輕松集成到高效率的電源轉換系統中。
浮思特科技專注功率器件領域，為客戶提供IGBT、IPM模塊等功率器件以及MCU和觸控芯片，是一家擁有核心技術的電子元器件供應商和解決方案商。
