近日，全球知名半導(dǎo)體制造商英飛凌科技(Infineon Technologies AG)宣布推出其最新研發(fā)成果——全球最薄的硅功率晶圓，厚度成功縮減至僅20微米。這一創(chuàng)新突破標(biāo)志著功率半導(dǎo)體技術(shù)的重大進(jìn)步，預(yù)計(jì)將對(duì)未來(lái)電子設(shè)備的性能和能效產(chǎn)生深遠(yuǎn)影響。

　　這款超薄硅功率晶圓相比傳統(tǒng)硅晶圓，其厚度減少了50%，在實(shí)現(xiàn)更輕便設(shè)計(jì)的同時(shí)，基板電阻也相應(yīng)降低了50%。這意味著在功率系統(tǒng)的使用中，功率損耗減少超過(guò)15%。隨著電力需求的持續(xù)增長(zhǎng)，尤其是在人工智能(AI)和高性能計(jì)算(HPC)等領(lǐng)域，對(duì)于高效能和低耗能的半導(dǎo)體器件的需求日益迫切，英飛凌的這一技術(shù)革新恰逢其時(shí)。

　　據(jù)悉，這種超薄晶圓主要應(yīng)用于12V器件，廣泛用于下一代人工智能圖形處理單元(GPU)、張量處理單元(TPU)及具有垂直功率的中央處理單元(CPU)的本地電源轉(zhuǎn)換。現(xiàn)代計(jì)算應(yīng)用需要在0.8V的電壓下提供高達(dá)1000至2000A的大電流，為此，英飛凌的超薄晶圓技術(shù)通過(guò)降低導(dǎo)通電阻(RDSon)達(dá)到了40%的改善，使得這些高電流需求得到更為有效的滿足。

　　此外，英飛凌的這一新型晶圓還具有更好的熱管理性能，能夠更快速地散熱，從而提高系統(tǒng)的整體可靠性。這對(duì)于在快速發(fā)展的AI和數(shù)據(jù)中心等領(lǐng)域，尤其是面對(duì)高功率密度和高效率挑戰(zhàn)的場(chǎng)景，具有重要的應(yīng)用價(jià)值。

　　英飛凌科技表示，隨著電子設(shè)備對(duì)能效、性能和尺寸的要求不斷提升，超薄硅功率晶圓的推出不僅可以滿足市場(chǎng)需求，還將推動(dòng)整個(gè)半導(dǎo)體行業(yè)的發(fā)展。公司預(yù)計(jì)，這種新型晶圓將在未來(lái)幾年內(nèi)得到廣泛應(yīng)用，尤其是在電動(dòng)車、可再生能源和智能家居等領(lǐng)域。

　　業(yè)內(nèi)分析師指出，英飛凌所推出的超薄硅功率晶圓將進(jìn)一步鞏固其在功率半導(dǎo)體市場(chǎng)的領(lǐng)導(dǎo)地位。隨著技術(shù)的不斷進(jìn)步，未來(lái)的電子產(chǎn)品將更加高效、智能、環(huán)保，推動(dòng)整個(gè)行業(yè)朝著更可持續(xù)的方向發(fā)展。

　　總之，英飛凌推出的全球最薄硅功率晶圓，無(wú)疑是半導(dǎo)體技術(shù)的一次重大突破。這一創(chuàng)新不僅提升了功率系統(tǒng)的能效，減少了功率損耗，也為下一代電子設(shè)備的快速發(fā)展提供了堅(jiān)實(shí)的基礎(chǔ)。隨著相關(guān)技術(shù)的不斷成熟，未來(lái)我們將看到電子行業(yè)在功率管理和能源效率上的更多創(chuàng)新應(yīng)用。

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