在半導體行業中，碳化硅(SIC)和氮化鎵(GaN)一直是備受關注的兩大材料。隨著SiC基板價格的大幅下降和其應用領域的不斷擴大，SiC正在逐步威脅GaN在某些市場中的地位，尤其是在電動車和AI數據中心領域。

　　近年來，電動車市場的快速發展為SiC提供了廣闊的應用前景。作為一種具有高導熱性和高耐壓性的半導體材料，SiC在電動車的牽引馬達逆變器和車載充電器中展現出明顯的技術優勢。隨著市場對電動車能效和續航能力的要求日益提升，SiC逐漸成為這些關鍵部件的首選材料。

　　尤其是在牽引馬達逆變器中，SiC的高效率和低損耗特性使得電動車能夠在更短的時間內充電并提升行駛里程。這使得SiC在電動車領域的市場份額不斷增加，逐步取代了傳統的硅材料，而GaN在這一領域的切入卻顯得相對困難。

　　除了在電動車領域的強勢表現，SiC還正在積極拓展AI數據中心市場。隨著人工智能和大數據技術的快速發展，數據中心對高效能和高功率密度的組件需求不斷增加，SiC憑借其優越的性能，成為了一個潛在的競爭者。雖然SiC的降價趨勢明顯，但由于其磊晶價格仍然相對較高，SiC的整體成本依然高于GaN。然而，許多SiC生產廠商采取了“淌血銷售”的策略，以便在市場上迅速占領份額。

　　盡管這種策略在短期內可以擴大市場影響力，但從長遠來看，持續的低價銷售將對企業的盈利能力造成壓力。與此同時，SiC降價對GaN造成的成本壓力相對有限，GaN依然在某些應用領域保持著較強的競爭力。

　　在SiC價格下跌和GaN市場承壓的背景下，全球知名半導體制造公司環球晶(GlobalWafers)也受到了影響。該公司曾預計到2025年，8寸SiC基板將成為市場的主流，但在當前的市場環境下，這一時間節點可能被迫延后。這一變化反映了SiC和GaN之間競爭的激烈程度，也顯示出行業內對未來市場形勢的重新評估。

　　隨著SiC技術的成熟和生產成本的持續下降，其在電動車及其他高功率應用中的市場份額有望繼續擴大。與此同時，GaN技術的發展也不容小覷，其在高頻、高效能應用中的優勢依然存在。未來，SiC和GaN之間的競爭將更加激烈，各自的技術進步和市場策略將直接影響到其在各個應用領域的地位。

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