意法半導體(STMicroelectronics)正在推出其第四代STPOWER硅碳化物(SIC)MOSFET技術。第四代技術在功率效率、功率密度和耐用性方面樹立了新的標準。這項新技術專門針對電動車(EV)動力系統的核心組件——牽引逆變器，同時也滿足汽車和工業市場的需求。公司計劃在2027年前實施更多先進的SiC技術開發，以致力于創新。

　　作為全球硅碳化物功率MOSFET的領導者，意法半導體正在推動創新，以利用SiC相較于硅器件的卓越效率和增強的功率密度。目前一代SiC器件旨在提升未來電動車牽引逆變器平臺，包括在尺寸和能效方面的改進。盡管電動車市場在擴張，但在實現主流接受方面仍面臨障礙，促使制造商專注于生產更具經濟性的電動汽車。

　　利用硅碳化物的800V電動車巴士驅動系統加快了充電速度，減少了車輛重量，使制造商能夠推出續航更長的豪華版本。意法半導體最新的SiC MOSFET器件提供750V和1200V兩個電壓等級，將提高400V和800V電動車巴士牽引逆變器的能效和性能，將SiC的優勢擴展到中型和緊湊型電動車，這些都是促進大眾市場接受的關鍵領域。最新一代SiC技術適用于眾多高功率工業應用，例如太陽能逆變器、能源儲存系統和數據中心，顯著提升這些日益增長的用途的能效。

　　意法半導體已完成其第四代SiC技術平臺750V等級的認證，并預計在2025年第一季度完成1200V等級的認證。額定電壓為750V和1200V的器件將很快上市，幫助設計師滿足從傳統交流電壓到高壓電動車電池和充電器的應用需求。意法半導體第五代SiC功率器件將采用一種新型高功率密度技術，使用平面結構。同時，意法半導體正在推進一項突破性進展，確保在高溫下具有卓越的導通電阻RDS(on)值，并相較于現有SiC技術進一步降低RDS(on)。

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