浮思特科技
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浮思特-SIC Module
浮思特研發的MPRA1C65-S61 SIC模塊采用了先進的碳化硅(SiC)半導體技術，以其卓越的性能和創新的設計，重新定義了功率電子的標準。它不僅擁有更高的熱導率和更低的導通電阻，還能夠在極端的工作條件下保持穩定，顯著提升了系統的整體效率和可靠性。
浮思特 MPRA1C65-S61 封裝信息：
封裝電路圖：
特征：
幾乎無開關損耗
可忽略的反向恢復
更高的開關頻率
高浪涌電流能力
提高的系統效率
優勢：
開關特性幾乎與溫度無關
正的溫度系數
散熱的要求
RoHS無鹵素/符合RoHS標準
無論是在高溫環境下的持久運行，還是在高頻率下的精確控制，MPRA1C65-S61 SiC模塊都能提供無與倫比的性能表現。浮思特的這款碳化硅模塊，將為電動汽車、可再生能源系統和工業電機驅動等關鍵領域帶來革命性的變化。
